Вышедшие номера
Дефектообразование в кремнии, облученном частицами с массой ~100 а.е.м. и энергией до 100 МэВ. II. Изменение рекомбинационных свойств
Баранов И.А.1, Кучинский П.В.1, Ломако В.М.1, Петрунин А.П.1, Целелевич С.О.1, Шахлевич Л.Н.1
1Научно-исследовательский институт прикладных физических проблем им. А.Н. Сенченко при БГУ им. В.И. Ленина, Минск
Выставление онлайн: 20 декабря 1990 г.

Изучено влияние дефектов, вводимых облучением осколками деления 252Cf в кремнии с уровнем легирования 1014/1018 см-3, на рекомбинацию неосновных носителей заряда. Показано, что изменение времени жизни носителей при облучении определяется в основном введением областей скоплений дефектов. С использованием параметров для областей скоплений дефектов, полученных из данных емкостной спектроскопии, описана зависимость поведения коэффициента радиационного изменения времени жизни неосновных носителей заряда от уровня легирования.