На "холодных" подложках (T_n=300/400 K) методом ИК лазерной эпитаксии впервые получены непосредственно из легированного источника пленки РbТе : Мn. Исследованы структурные, электрофизические свойства и ЭПР тонких пленок РbТе : Мn. Показано, что в выращенных пленках примесь Мn занимает преимущественно узельное положение и проявляет псевдодонорный характер.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.