Объектом изучения служили поверхностно-барьерные структуры Ni-n-GaAs (n=(1/2)·10¹⁵ см^-3 при 300 K), изготовленные методом химического осаждения металла на поверхность полупроводника. Показано, что механизмом обратного тока при низких напряжениях (1/10 В) и. повышенных температурах (450/550 K) является термоэлектронная эмиссия (ток соответствует теории Бете при учете сил изображения). Величина постоянной Ричардсона, найденная из температурной зависимости обратного тока ((8.2±1.0) А/см²· град²), совпадает с величиной, определенной из температурной зависимости прямого тока, и с величиной, теоретически ожидаемой для GaAs. Значение высоты потенциального барьера, найденное из температурной зависимости обратного тока (0.96 В при 0 K), совпадает со значениями, определенными из температурных зависимостей прямого тока и барьерной емкости.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.