При T=2 K и в магнитном поле до 7.5 Т выполнено исследование осциллирующего магнитопоглощения в эпитаксиальных слоях In_1-xGa_xAs, выращенных на подложке из InP. Измерения, проведенные на напряженных слоях и слоях с удаленной подложкой (свободных), позволили установить эффективные массы электрона и другие параметры зонной структуры слоев, а также рассчитать зависимость m^*_c на дне зоны проводимости от состава (x) и напряжений (e). При этом можно выделить влияние части, обусловленной несоответствием решеток (Delta a _normal /a_||) и однозначно связанной с составом, так же как составляющую, зависящую от остаточных напряжений e₀ и включающую в себя ростовые напряжения и напряжения, связанные с различием в коэффициентах термического расширения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.