Методом DLTS исследовано влияние температуры облучения на накопление и отжиг радиационных комплексов в диодах из n-Si при воздействии электронами с энергией 4 МэВ. В области повышенных температур облучения обнаружены дополнительные радиационные дефектные центры с E_c-0.13 и E_c-0.2 эВ. Показано, что эффективность формирования указанных дефектных центров при высокотемпературном облучении в несколько раз выше по сравнению с диодами, облученными при комнатной температуре и отожженными при температурах облучения. Установлена взаимосвязь формировавшегося дефектного центра E_c-0.13 эВ с распадом A-центра. Показано, что центр с уровнем E_c-0.2 эВ является сложным комплексом и проявляет высокую термическую стабильность. Обсуждаются квазихимические реакции, ответственные за формирование указанных дефектных центров при терморадиационной обработке.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.