Исследованы ИК колебательные спектры кристаллов GeP в поляризациях E|| C и E normal C в области 50-4000 см^-1. Рассчитаны контуры спектров отражений и определены параметры фононов, статическая и динамическая диэлектрические постоянные (varepsilon_{бесконечность} и varepsilon₀). Рассчитаны эффективный заряд Сиггети, динамический эффективный заряд Борна и относительные заряды катионов и анионов. Проведено сравнение колебательных спектров GeP и SiAs. Показано, что в этих двух материалах разная степень ионности имеет место при ориентации светового поля вдоль и перпендикулярно оси С кристаллов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.