Проведен анализ экспериментальных исследований примесного пробоя в одноосно деформированных сплавах Ge-Si, легированных сурьмой и содержащих до 10 ат% Si. Определена зависимость поля пробоя от содержания кремния, а также величины и направления одноосного сжатия для случаев P||[111], P||[100]. Воздействие различных факторов на пробой обсуждается в связи с изменением механизмов рассеяния при изменении зонной структуры сплавов. Особенности примесного пробоя, как например отсутствие корреляции в изменении поля пробоя и подвижности носителей тока, качественно объясняются в рамках модели развития пробоя в неоднородных полупроводниках.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.