С помощью измерений фотолюминесценции (T=4.5 K) и нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней проведены исследования специально не легированных и легированных кремнием слоев GaAs, выращенных по двухступенчатой технологии на кремниевых подложках. Полученные результаты сравниваются с соответствующими данными для гомоэпитаксиальных структур. Проведенный анализ позволил идентифицировать основные полосы ФЛ активных слоев гомо- и гетероэпитаксиальных структур и определить природу основного мелкого акцептора. Оценены также величина термических напряжений и содержание глубоких центров в слоях GaAs/Si.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.