Рассмотрены особенности релаксации горячих электронов на равновесных колебаниях дырочной плазмы в полупроводниках p-типа. Показано, что из-за интенсивных переходов частиц из зоны тяжелых дырок в зону легких резонансное испускание плазмонов оказывается существенным образом подавленным. Рассеяние горячих электронов на колебаниях плазмы в этих условиях происходит преимущественно с возбуждением тяжелой дырки в зону легких дырок, причем вследствие динамического экранирования энергетические потери распределены в широкой полосе и могут быть больше, чем в случае резонансного испускания плазмонов определенной энергии.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.