Установлено, что термический отжиг модифицированных лазерным излучением кристаллов GaAs, в котором присутствуют поликристаллы GaAs и поверхностные включения металлического Ga, приводит к упорядочению его структуры. Исчезает поликристаллическое состояние GaAs, а поверхностные атомы Ga диффундируют вглубь кристалла, занимая места вакансий мышьяка. При этом в спектрах ФЛ исчезает D-полоса и появляется E-полоса с энергией максимума 1.32 эВ (77 K). Показано, что природа E-полосы связана с антиструктурными дефектами типа GaAs.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.