Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства эпитаксиальных слоев твердых растворов InAs_1-x-ySb_yP_x, полученных методом жидкостной эпитаксии в интервале составов 0.03=< x=<0.26. Из спектральных характеристик фотопроводимости показано, что ширина запрещенной зоны E_g изменяется от 0.41 до 0.52эВ при T=77 К с ростом x от 0.03 до 0.26. Из температурной зависимости коэффициента Холла в нелегированных слоях выявлены два донорных уровня с энергиями активации E_D1~=0.002 эВ и E_D2~=0.03 эВ. Показано, что легирование теллуром и оловом позволяет получить материал в широком интервале концентраций от 10¹⁶ до 10¹⁹ см^-3. Найдены концентрации атомов Те и Sn в твердой и жидкой фазах и определены их коэффициенты сегрегации: C_Te=0.6-0.96, C_Sn~=0.01.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.