Исследован монокристаллический Si, имплантированный ионами C⁺ с энергией 135 кэВ, дозой 8· 10¹⁵ см^-2, методами электроотражения и комбинационного рассеяния света. В результате обнаружено, что в облученных образцах существует слоистое распределение дефектов. Изучены изменение механических напряжений и распределение дефектов и их комплексов, в процессе последующих низкотемпературных и высокотемпературных отжигов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.