Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур, полученных структурным переходом Au-p-InP->Au-n-In2O3-p-InP
Мередов M.M.1, Ковалевская Г.Г.1, Руссу Е.В.1, Слободчиков С.В.1
1Туркменский сельскохозяйственный институт им. М.И. Калинина,, Ашхабад, Туркмения
Выставление онлайн: 20 августа 1992 г.
В результате длительной выдержки на воздухе диодов Шоттки Au-p-InP выявлен структурный переход Au-p-InP->Au-n-In2О3-p-InР. Исследования вольт-амперных характеристик этой гетероструктуры показали, что механизм токопрохождения определяется туннелированием носителей тока через ловушечные состояния. Фотоответ гетероструктур аналитически можно представить Iфо=(hnu-Em)m, где Em=(1.4/1.6) эВ, а m=3 и определяется внутренней фотоэмиссией из p-IпР в n-In2O3.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук