Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства эпитаксиальных слоев арсенида индия. Показано, что использование свинца в качестве нейтрального растворителя при выращивании эпитаксиальных слоев арсенида индия позволяет уменьшить концентрацию примесей и структурных дефектов и получить как более чистые слои (при 77 K концентрация электронов ~5·10¹⁶ см^-3, подвижность ~3·10⁴ см²/В·с), так и полуизолирующие слои (при 77 K концентрация ~10¹⁵ см^-3, подвижность ~4·10³ см²/В·с). Определен энергетический спектр примесей и дефектов (энергии ионизации донорных уровней - E_D=0.002, 0.01/0.02, 0.1/0.2 эВ, акцепторного - E_A=0.05 эВ). Изучены механизм рассеяния и характер распределения центров рассеяния.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.