Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Об использовании методов позитронной аннигиляционной спектроскопии к изучению радиационно-стимулированных процессов в халькогенидных стеклообразных полупроводниках
Кавецкий Т.С.1, Цмоць В.М.1, Шауша О.2, Степанов А.Л.3,4
1Дрогобычский государственный педагогический университет им. И. Франко, Дрогобыч, Украина 
2Институт физики Словацкой академии наук, Братислава, Словакия
3Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского, ФИЦ Казанский научный центр РАН, Казань, Россия
4Казанский (Приволжский) федеральный университет, Казань, Россия
2Институт физики Словацкой академии наук, Братислава, Словакия
3Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского, ФИЦ Казанский научный центр РАН, Казань, Россия
4Казанский (Приволжский) федеральный университет, Казань, Россия
Поступила в редакцию: 8 апреля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2013 г.
Исследованы необлученные и gamma-облученные (средняя энергия E = 1.25 МэВ, доза Phi = 2.41 МГр) халькогенидные стеклообразные полупроводники (ХСП) As2S3 и Ge15.8As21S63.2 с помощью измерений временного распределения аннигиляционных фотонов (ВРАФ) и доплеровского уширения аннигиляционной линии с энергией 0.511 МэВ (ДУАЛ). Применялись два источника позитронов 22Na, имеющих активности 0.6 и 2.0 МБк и толщины каптоновой пленки 8.0 и 25.0 мкм. Показано, что в данных типах ХСП обнаруженные радиационно-индуцированные изменения параметров ВРАФ находятся в пределах экспериментальной погрешности измерений. Метод ДУАЛ оказался более эффективным и точным для изучения радиационно- стимулированных процессов в ХСП.
- M. Popescu. J. Optoelectron. Adv. Mater., 7 (4), 2189 (2005)
- J.S. Sanghera, I.D. Aggarwal. J. Non-Cryst. Sol., 256\&257, 6 (1999)
- B. Bureau, X.H. Zhang F. Smektala, J.-L. Adam, J. Troles, H.-Li Ma, C. Boussard-Pledel, J. Lucas, P. Lucas, D. Le Coq, M.R. Riley, J.H. Simmons. J. Non-Cryst. Sol., 345-346, 276 (2004)
- I.D. Aggarwal, J.S. Sanghera. J. Optoelectron. Adv. Mater., 4 (3), 665 (2002)
- S. Maurugeon, B. Bureau, C. Boussard-Pledel, A.J. Faber, X.H. Zhang, W. Geliesen, J. Lucas. J. Non-Cryst. Sol., 355, 2074 (2009)
- J.E. Harries, H.E. Brindley, P.J. Sagoo, R.J. Bantges. Nature, 410, 355 (2001)
- R.Ya. Golovchak, Cz. Gorecki, A. Kozdras, O.I. Shpotyuk. Sol. St. Commun., 137, 67 (2006)
- R. Golovchak, A. Kozdras, O. Shpotyuk. J. Non-Cryst. Sol., 356, 1149 (2010)
- O.I. Shpotyuk, R.Ya. Golovchak. J. Non-Cryst. Sol., 352, 704 (2006)
- R.Ya. Golovchak, A. Kozdras, Cz. Gorecki, O.I. Shpotyuk. J. Non-Cryst. Sol., 352, 4960 (2006)
- В.И. Графутин, Е.П. Прокопьев. УФН, 172 (1), 67 (2002)
- В.И. Графутин, О.В. Илюхина, Г.Г. Мясищева, Е.П. Прокопьев, С.П. Тимошенков, Ю.В. Фунтиков, Ю.А. Чаплыгин. Наноструктуры. Математическая физика и моделирование, 2 (2), 15 (2010)
- T. Kavetskyy, O. Shpotyuk, I. Kaban, W. Hoyer. J. Optoelectron. Adv. Mater., 9 (10), 3247 (2007)
- T. Kavetskyy, M. Vakiv, O. Shpotyuk. Radiation Measurements, 42, 712 (2007)
- T. Kavetskyy, I. Kaban, O. Shpotyuk, W. Hoyer, V. Tsmots. J. Phys.: Conf. Ser., 289, 012 007 (2011)
- V. Balitska, J. Filipecki, O. Shpotyuk, J. Swiatek, M. Vakiv. J. Non-Cryst. Sol., 287, 216 (2001)
- O.I. Shpotyuk, T.S. Kavetskyy, A.P. Kovalskiy, R.V. Lutziv, V. Pamukchieva. Ukr. Fiz. Zh., 46 (4), 495 (2001)
- P. Kirkegaard, M. Eldrup, O.E. Mogensen, N.J. Pedersen. Comp. Phys. Commun., 23, 307 (1981)
- P. Bandzv uch, M. Morhac, J. Kriv stiak. Nucl. Instr. Meth. A, 384, 506 (1997)
- V. Balitska, Ya. Shpotyuk, J. Filipecki, O. Shpotyuk, M. Iovu. J. Non-Cryst. Sol., 357, 487 (2011)
- K.-S. Liao, H. Chen, S. Awad, J.-P. Yuan, W.-S. Hung, K.-R. Lee, J.-Y. Lai, C.-C. Hu, Y.C. Jean. Macromolecules, 44, 6818 (2011)
- T. Kavetskyy, V. Tsmots, O. v Sauv sa, A.L. Stepanov. Phys. Status Solidi C, 9 (12), 2420 (2012)
- P. Hautojarvi, C. Corbel. In: A. Dupasquier, A.P. Mills, jr. (eds), Positron Spectroscopy of Solids, Proceedings of the International School of Physics "Enrico Fermi", Course CXXV. (Amsterdam-Oxford-Tokyo-Washington DC, 1995) p. 491
- G.P. Karwasz, A. Zecca, R.S. Brusa, D. Pliszka. J. Alloys Comp., 382, 244 (2004)
- H.G. Priesmeyer, G. Bokuchava. Mater. Sci. Eng. A, 437, 54 (2006)
- P.E. Lhuillier, T. Belhabib, P. Desgardin, B. Courtois, T. Sauvage, M.F. Barthe, A.L. Thomann, P. Brault, Y. Tessier. J. Nucl. Mater., 433, 305 (2013)
- M.A. Misheva, N. Djourelov, F.M.A. Margaca, I.M. Miranda Salvado, G. Passage. J. Phys.: Condens. Matter, 8, 6313 (1996)
- M. Misheva, N. Djourelov, Tzv. Kotlarova, D. Elenkov, G. Passage. Thin Sol. Films, 283, 26 (1996)
- K. Tanaka. ФТП, 32 (8), 964 (1998)
- M. Kastner, D. Adler, H. Fritzsche. Phys. Rev. Lett., 37, 1504 (1976)
- С.А. Дембовский, А.С. Зюбин, Ф.В. Григорьев. ФТП, 32 (8), 944 (1998)
- Л.П. Казакова, К.Д. Цэндин. ФТП, 33 (7), 866 (1999)
- T.S. Kavetskyy. Semicond. Phys. Quantum Electron.\&Optoelectron., 16 (1), 27 (2013)
- A. Kovalskiy, H. Jain, A. Miller, R. Ya. Golovchak, O.I. Shpotyuk. J. Phys. Chem. B, 110, 22 930 (2006)
- T. Kavetskyy, O. Shpotyuk, I. Kaban, W. Hoyer. J. Chem. Phys., 128 (24), 244 514 (2008)
- T. Kavetskyy, O. Shpotyuk, V. Balitska, G. Dovbeshko, I. Blonskyy, I. Kaban, W. Hoyer, M. Iovu, A. Andriesh. Proc. SPIE, 7142, 714 20B (2008)
- Т.С. Кавецкий. ФТП, 45 (4), 506 (2011)
- T. Kavetskyy, O. Shpotyuk, I. Kaban, W. Hoyer, J. Filipecki, M. Iovu. J. Non-Cryst. Sol., 355, 1801 (2009).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
