Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности электрофизических свойств гетероструктур InSb/AlInSb/AlSb с высокой концентрацией электронов в двумерном канале
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Wihuri Laboratory, Department of Physics and Astronomy, University of Turku, FI, Turku, Finland
3Балтийский государственный технический университет "ВОЕНМЕХ" им. маршала Д.Ф.Устинова, Санкт-Петербург, Россия
2Wihuri Laboratory, Department of Physics and Astronomy, University of Turku, FI, Turku, Finland
3Балтийский государственный технический университет "ВОЕНМЕХ" им. маршала Д.Ф.Устинова, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 июля 2013 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2014 г.
Работа посвящена исследованию электрофизических свойств гетероструктур c квантовыми ямами (КЯ) InSb/AlInSb/AlSb с высокой концентрацией электронов. Обнаружена анизотропия концентрации и подвижности электронов, измеренных в слабом магнитном поле в кристаллографических направлениях [110] и [110]. С помощью анализа осцилляций Шубникова-де Гааза показано, что проводимость по двумерному электронному каналу КЯ InSb/AlInSb не зависит от кристаллографического направления. Вместе с тем магнитополевые зависимости модуля коэффициента Холла и удельного сопротивления структур продемонстрировали сильную чувствительность к кристаллографическому направлению. Это позволило заключить, что анизотропия транспортных параметров электронов в структурах с КЯ, измеренных в слабом магнитном поле, связана с паразитной проводимостью по буферному слою Al0.09In0.91Sb, заметный вклад в которую дают два анизотропных эффекта: влияние кластеров металлического In, неоднородно распределенных по буферному слою, и проводимость по сильнодефектному приинтерфейсному слою, плотность протяженных дефектов в котором зависит от кристаллографического направления.
- B.R. Bennett, R. Magno, J. Brad Boos, W. Kruppa, M.G. Ancona. Sol. St. Electron., 49, 1875 (2005)
- K.J. Goldammer, S.J. Chung, W.K. Liu, M.B. Santos, J.L. Hicks, S. Raymond, S.Q. Murphy. J. Cryst. Growth, 201/202, 753 (1999)
- A.M. Gilbertson, W.R. Branford, M. Fearn, L. Buckle, T. Ashley, L.F. Cohen. Phys. Rev. B, 79, 235 333 (2009)
- O.J. Pooley, A.M. Gilbertson, P.D. Buckle, R.S. Hall, L. Buckle, M.T. Emeny, M. Fearn, L.F. Cohen, T. Ashley. New J. Phys., 12, 053 022 (2010)
- A.M. Gilbertson, P.D. Buckle, M.T. Emeny, T. Ashley, L.F. Cohen. Phys. Rev. B, 84, 075 474 (2011)
- M.A. Ball, J.C. Keay, S.J. Chung, M.B. Santos, M.B. Johnson. Appl. Phys. Lett., 80, 2138 (2002)
- T.D. Mishima, J.C. Keay, N. Goel, M.A. Ball, S.J. Chung, M.B. Johnson, M.B. Santos. J. Cryst. Growth, 251, 551 (2003)
- А.Н. Семенов, Б.Я. Мельцер, В.А. Соловьев, Т.А. Комиссарова, А.А. Ситникова, Д.А. Кириленко, А.М. Надточий, Т.В. Попова, П.С. Копьев, С.В. Иванов. ФТП, 45, 1379 (2011)
- Т.A. Komissarova, A.N. Semenov, D.A. Kirilenko, B.Ya. Meltser, V.A. Solov'ev, A.A. Sitnikova, P. Paturi, S.V. Ivanov. arXiv:1307.2368 [cond-mat.mtrl-sci]
- J.M.S. Orr, A.M. Gilbertson, M. Fearn, O.W. Croad, C.J. Storey, L. Buckle, M.T. Emeny, P.D. Buckle, T. Ashley. Phys. Rev. B, 77, 165 334 (2008).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
