Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Легирование кремния селеном методом диффузии из газовой фазы

Астров Ю.А.¹, Шуман В.Б.¹, Порцель Л.М.¹, Лодыгин А.Н.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 17 июля 2013 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2014 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изучался результат легирования селеном монокристаллов кремния при введении примеси методом диффузии из газовой фазы. Легирование проводилось в отпаянных кварцевых ампулах при температуре 1240^oC в течение 240 ч. Исследована зависимость концентрации вводимых глубоких донорных центров различного типа от давления пара диффузанта p_Se. Найдено, что при относительно малых p_Se (0.02-0.06 атм) можно получать образцы с концентрацией атомарных центров Se, превышающей 10¹⁵ см^-3. При этом содержание двухатомных комплексов Se₂ будет меньше на порядок и более величины. Полученные результаты могут представлять интерес в задачах исследования нелинейных оптических явлений с участием глубоких донорных центров в кремнии.

S.G. Pavlov, R.Kh. Zhukavin, V.N. Shastin, H.-W. Hubers. Phys. Status Solidi B, 250, 9 (2013)
P.T. Greenland, S.A. Lynch, A.F.G. van der Meer, B.N. Murdin, C.R. Pidgeon, B. Redlich, N.Q. Vinh, G. Aeppli. Nature, 465, 1057 (2010)
N. Sclar. Infr. Phys., 16, 435 (1976)
P. Wagner, C. Holm, E. Sirt, R. Oeder, W. Zulehner. Chalcogens as point defects in silicon [Advances in Sol. St. Phys.], ed. by P. Grosse (Friedr. Vieweg \& Sohn, Braunschweig) 3, 191 (1984)
E. Janzen, R. Stedman, G. Grossmann, H.G. Grimmeiss. Phys. Rev. B, 29, 1907 (1984)
H.G. Grimmeiss, E. Janzen, B. Skarstam. J. Appl. Phys., 51, 3740 (1980)
M. Steger, A. Yang, M.L.W. Thewalt, M. Cardona, H. Riemann, N.V. Abrosimov, M.F. Churbanov, A.V. Gusev, A.D. Bulanov, I.D. Kovalev, A.K. Kaliteevskii, O.N. Godisov, P. Becker, H.-J. Pohl, E.E. Haller, J.W. Ager, III. Phys. Rev. B, 80, 115 204 (2009)
А.А. Таскин, Е.Г. Тишковский. ФТП, 36, 641 (2002)
Yu.A. Astrov, L.M. Portsel, A.N. Lodygin, V.B. Shuman. Semicond. Sci. Technol., 26, 055 021 (2011)
Ю.А. Астров, S.A. Lynch, В.Б. Шуман, Л.М. Порцель, А.А. Махова, А.Н. Лодыгин. ФТП, 47, 211 (2013)
Ю.А. Астров, В.Б. Шуман, А.Н. Лодыгин, Л.М. Порцель, А.Н. Махова. ФТП, 42, 457 (2008)
Yu.A. Astrov, L.M. Portsel, A.N. Lodygin, V.B. Shuman. J. Appl. Phys., 103, 114 512 (2008)
D.C. Look. Phys. Rev. B, 24, 5852 (1981)
А.А. Таскин, Е.Г. Тишковский. ФТП, 32, 1306 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель