Сверхширокий спектр электролюминесценции светодиодных гетероструктур на основе полупроводниковых твердых растворов GaPAsN
Бабичев А.В.1,2, Лазаренко А.А.1, Никитина Е.В.1, Пирогов Е.В.1, Соболев М.С.1, Егоров А.Ю.1
1Санкт-Петербургский aкадемический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 июля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2014 г.
Впервые представлены результаты по созданию светодиодов белого свечения на основе полупроводниковых твердых растворов GaPAsN на подложке фосфида галлия. Продемонстрирована электролюминесценция гетероструктур с непрерывным спектром в диапазоне длин волн от 350 до 1050 нм. Вывод света через боковые грани и лицевую часть образца позволил реализовать белое свечение за счет сверхширокого спектра электролюминесценции, перекрывающего весь видимый диапазон и часть ближнего инфракрасного диапазона. При выводе излучения через подложку коротковолновая часть спектра поглощается в слое GaP.
- H. Wu, X. Zhang, C. Guo, J. Xu, M. Wu, Q. Su. IEEE Phot. Techn. Lett., 17 (6), 1160 (2005)
- K.Y. Ko, D.H. Lee, K.H. Jang, S.Y. Choi, Y.T. Kim. USA Patent 20130020931 issued January 24, 2013
- E. Jang, J. Shinae, J. Hyosook, L. Jungeun, K. Byungki, K. Younghwan. Adv. Mater., 22 (28), 3076 (2010)
- S. Nakamura, S. Pearton, G. Fasol. The blue laser diode: the complete story (Springer, 2000)
- O.N. Ermakov, M.G. Kaplunov, O.N. Efimov, I.K. Yakushchenko, M.Yu. Belov, M.F. Budyka. Microelectron. Eng., 68, 208 (2003)
- F. Caruso, M. Mosca, R. Macaluso, E. Feltin, C. Cali. Electron. Lett., 48 (22), 1417 (2012)
- C.-Y. Chen, C.N. Huang, F.C. Hwang, M.H. Hong, E.G. Lean. USA Patent 6163038, issued December 19, 2000
- S.J. Chua, P. Li, M. Hao, J. Zhang. USA Patent 6645885, issued November 11, 2003
- С.-Д. Чуа, П. Чэнь, Ч. Чэнь, Э. Такасука. Светодиод белого свечения на основе нитрида элементов III группы (22 Сентября, 2006). http://www.freepatent.ru/images/ patents/70/2392695/patent-2392695.pdf
- T. Kim, J. Kim, M. Yang, Y. Ko. Monolithic White LED with Controllable Color Temperature. In CLEO: Applications and Technology. Optical Society of America, 2012
- T. Kim, J. Kim, M. Yang, S. Lee, Y. Park, Y. Ko, Y. Cho. White emission from InGaN multi-quantum wells on c-planes and nano-pyramids hybrid structure. In Lasers and Electro-Optics (CLEO), 2011 Conference on, p. 1-2. IEEE, 2011
- T. Kim, J. Kim, M. Yang, Y. Park, U.I. Chung, Y. Ko, Y. Cho. Polychromatic white LED using GaN nano pyramid structure. In SPIE OPTO, p. 86410E-86410E. Int. Soc. Opt. Photon., 2013
- H. Yonezu. Semicond. Sci. Technol., 17, 762 (2002)
- W. Shan, W. Walukiewicz, K.M. Yu, J. Wu, J.W. Ager, E.E. Haller, H.P. Xin, C.W. Tu. Appl. Phys. Lett., 76 (22), 3251 (2000)
- I.A. Buyanova, G. Pozina, J.P. Bergman, W.M. Chen, H.P. Xin, C. W. Tu. Appl. Phys. Lett., 81, 52 (2002)
- M. Kaneko, T. Hashizume, V.A. Odnoblyudov, C.W. Tu. J. Appl. Phys., 101, 103 707 (2007)
- А.Ю. Егоров, Е.С. Семенова, В.М. Устинов, Y.G. Hong, C. Tu. ФТП, 36 (9), 1056 (2002)
- H.C. Alt, A.Y. Egorov, H. Riechert, J.D. Meyer, B. Wiedemann. Physica B: Condens. Matter, 308, 877 (2001)
- P.R.C. Kent, A. Zunger. Phys. Rev. B, 64 (11), 115 208 (2001)
- W. Shan, W. Walukiewicz, J.W. Ager III, E.E. Haller, J.F. Geisz, D.J. Friedman, J.M. Olson, S.R. Kurtz. Phys. Rev. Lett., 82 (6), 1221 (1999)
- C. Skierbiszewski, P. Perlin, P. Wisniewski, W. Knap, T. Suski, W. Walukiewicz, W. Shan, K.M. Yu, J.W. Ager, E.E. Haller, J.F. Geisz, J.M. Olson. Appl. Phys. Lett., 76 (17), 2409 (2000)
- W. Shan, W. Walukiewicz, K.M. Yu, J. Wu, J.W. Ager, E.E. Haller, H.P. Xin, C.W. Tu. Appl. Phys. Lett., 76 (22), 3251 (2000)
- А.Ю. Егоров, Е.В. Никитина, А.В. Бабичев. Патент РФ N 2013128322, от 20.06.2013
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.