Формирование встроенного потенциала в кристаллах кремния (100) при СВЧ плазменной микрообработке
Поступила в редакцию: 30 мая 2013 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2014 г.
Приведены результаты исследований закономерностей влияния на электронные свойства поверхности монокристаллов кремния кристаллографической ориентации (100) с естественным оксидным покрытием низкоэнергетичной СВЧ плазменной микрообработки в различных плазмообразующих средах. Рассмотрены модельные механизмы процессов и факторы, обеспечивающие устойчивую модификацию электронных свойств поверхности кристаллов кремния за счет формирования встроенных поверхностных потенциалов, определяемых химической активностью используемых рабочих газов при плазменной микрообработке в условиях слабой адсорбции. Показана принципиальная возможность активного формирования электронных свойств поверхности полупроводниковых кристаллов с целью расширения их электрофизических и функциональных свойств.
- К. Оура, В.Г. Лифшиц, А.А. Саранин, А.В. Зотов, М. Катаяма. Введение в физику поверхности (М., Наука, 2006)
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977)
- Б.С. Данилин, В.Ю. Киреев. Применение низкотемпературной плазмы для травления и очистки материалов (М., Энергоатомиздат, 1987)
- Г.Г. Дворянкина, А.А. Телегин, В.Ф. Дворянкин, А.Г. Петров, Л.Г. Кяргинская, Н.М. Ушаков, С.Ф. Аверин, В.Э. Выдуц, В.И. Петросян, Б.Б. Эленкриг. Микроэлектроника, 18 (5), 412 (1989)
- Н.М. Ушаков, С.А. Терентьев, Р.К. Яфаров. Письма ЖТФ, 28 (15), 10 (2002)
- Технология СБИС: В 2-х кн. Пер. с англ. под ред. С. Зи (М., Мир, 1985)
- В.Я. Шаныгин, Р.К. Яфаров. ЖТФ, 79 (12), 73 (2009)
- Р.К. Яфаров. Физика СВЧ вакуумно-плазменных нанотехнологий (М., Физматлит, 2009)
- Д.В. Будко, Р.К. Яфаров. Тез. докл. VI Всеросс. конф. молодых ученых "Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика" (Саратов. 13-15 сентября 2011) с. 13
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.