Об особенностях детектирования водорода полупроводниковой структурой, полученной на подложке 6H-SiC комбинированным методом ионной имплантации и осаждения платины
Зуев В.В.1, Григорьев С.Н.2, Романов Р.И.1, Фоминский В.Ю.1, Григорьев В.В.1
1Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
2Московский государственный технологический университет "СТАНКИН", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 23 июля 2013 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2014 г.
Приведены результаты сравнительного исследования электрофизических свойств газосенсорных полупроводниковых структур, полученных импульсным лазерным осаждением платины, ионной имплантацией платины, а также комбинированным методом имплантации и осаждения платины на подложку n-6H-SiC. Двухслойные структуры показали более сильный отклик на газообразный водород при более выраженном диодном характере вольт-амперных характеристик для высоких температур ~500oC, чем однослойные ионно-имплантированные структуры. Кроме того, двухслойные структуры обладали большей воспроизводимостью параметров вольт-амперных характеристик при термоциклировании в водородосодержащей среде, чем обычные тонкопленочные структуры на подложке SiC. Исследованы химическое состояние ионно-имплантированной платины и структура тонкопленочных слоев после длительных испытаний в осложненных условиях. Рассмотрены возможные механизмы влияния платины на токопрохождение в ионно-имплантированном слое и его зависимость от состава окружающей газовой среды.
- M. Andersson, R. Pearce, A.L. Spetz. Sensors Actuators B, 179, 95 (2013)
- A. Trinchi, S. Kandasamy, W. Wlodarski. Sensors Actuators B, 133, 705 (2008)
- M.T. Soo, K.Y. Cheong, A.F.M. Noor. Sensors Actuators B, 151, 39 (2010)
- A. Samman, S. Gebremariam, L. Rimai, X. Zhang, J. Hangas, G.W. Auner. Sensors Actuators B, 63, 91 (2000)
- В.Ю. Фоминский, Р.И. Романов, А.Г. Гнедовец, В.В. Зуев, М.В. Демин, В.В. Григорьев. ФТП, 45 (5), 694 (2011)
- В.Н. Неволин, В.Ю. Фоминский, А.Г. Гнедовец, Г.А. Киселев. ЖТФ, 77 (11), 88 (2007)
- В.Ю. Фоминский, Р.И. Романов, А.Г. Гнедовец, В.В. Зуев, М.В. Демин, В.В. ФТП, 44 (4), 556 (2010)
- L. Shuang, Z. Zhiyong, N. Yonggong, C. Ai, Z. Huaiwu, Y. Jiade. Vacuum, 65, 133 (2002)
- I. Shalish, C.E.M. de Oliveira, Y. Shapira, L. Burstein, M. Eizenberg. J. Appl. Phys., 88 (10), 5724 (2000)
- Ю.А. Быковский, В.Н. Неволин, В.Ю. Фоминский. Ионная и лазерная имплантация металлических материалов (М., Энергоатомиздат, 1991)
- M. Sochacki, A. Kolendo, J. Szmidt, A. Werbovy. Sol. St. Electro., 49, 585 (2005)
- А. Милс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник (М., Мир, 1975)
- Г.Е. Пикус. Основы теории полупроводниковых приборов (М., Наука, 1965)
- Д.Г. Громов, О.В. Пятилова, С.В. Булярский, А.Н. Белов, А.А. Раскин. ФТТ, 55 (3), 562 (2013)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
