Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Люминесцентные свойства тонких нанокристаллических пленок карбида кремния, изготовленных прямым ионным осаждением
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия 
2Институт монокристаллов Национальной академии наук Украины, Харьков, Украина
2Институт монокристаллов Национальной академии наук Украины, Харьков, Украина
Поступила в редакцию: 17 июля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2014 г.
Нанокомпозитные пленки, содержащие нанокристаллы кремния и карбида кремния, были изготовлены методом прямого ионного осаждения на кремниевые подложки. Полученные пленки были исследованы методами спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции. Обнаружено, что изучаемые образцы обладают двумя полосами фотолюминесценции - в "красной" и ближней инфракрасной (600-1000 нм) и "синей" областях (400-550 нм), которые объясняются соответственно излучательной рекомбинацией экситонов в кремниевых нанокристаллах и излучательными переходами между уровнями локальных центров (дефектов) на поверхности кремниевых нанокристаллов и в окружающей матрице. Кратковременная выдержка пленок в растворе на основе плавиковой кислоты приводила к модификации спектра излучения и возрастанию интенсивности экситонной полосы вследствие пассивации дефектов на поверхности кремниевых нанокристаллов.
- L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57 (10), 1046 (1990)
- A.G. Cullis, L.T. Canham, P.D.J. Calcott. Appl. Phys. Lett., 82, 909 (1997)
- S. Takeoka, M. Fujii, S. Hayashi. Phys. Rev. B, 62, 16 820 (2000)
- N. Daldosso, L. Pavesi. Laser \& Photon. Rev. 3 (6), 508 (2009)
- V.Yu. Timoshenko, K.A. Gonchar, I.V. Mirgorodskiy, N.E. Maslova, V.E. Nikulin, G.K. Mussabek, Ye.T. Taurbaev, E.A. Svanbayev, T.I. Taurbaev. Nanoscale Res. Lett., 6, 349 (2011)
- A.V. Semenov, V.M. Puzikov, M.V. Dobrotvorskaya, A.G. Fedorov, A.V. Lopin. Thin Sol. Films, 516, 2899 (2008)
- A.V. Semenov, V.M. Puzikov, E.P. Golubova, V.N. Baumer, M.V. Dobrotvorskaya. ФТП, 43 (5), 685 (2009)
- H. Richter, Z.P. Wang, L. Ley. Sol. St. Commun., 39, 625 (1981)
- Н.Е. Маслова, А.А. Антоновский, Д.М. Жигунов, В.Ю. Тимошенко, В.Н. Глебов, В.Н. Семиногов. ФТП, 44 (8), 1074 (2010)
- Properties of Silicon Carbide ed. by G.L. Harris (London, INSPEC, 1995)
- M. Havel, D. Baron, L. Mazerolles, Ph. Colomban. Appl. Spectrosc., 61 (8), 855 (2007)
- H.-J. Fitting, R. Salh, B. Schmidt. ФТП, 41 (4), 467 (2007)
- D.G. Thomas, J.J. Hopfield, W.M. Augustyniak. Phys. Rev., 140 (1A), 202 (1965)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
