Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электрофизические свойства многослойной структуры SiC - Si

Божевольнов В.Б.¹, Яфясов А.М.¹, Миайловский В.Ю.¹, Егорова Ю.В.¹, Соколов А.А.¹, Филатова Е.О.¹

¹Санкт-Петербургский государственный университет, физический факультет, Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State University, St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State University, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 14 октября 2013 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2014 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлен анализ зарядовых свойств многослойной структуры, состоящей из политипов карбида кремния на кремниевой подложке. Знание свойств области пространственного заряда кремния и возможность воздействия на поверхность структуры в эффекте поля [1] позволило получить данные о зарядовых процессах на межфазной границе политипов. Эти данные актуальны для совершенствования методов синтеза электронных структур на основе политипов SiC.

E. Filatova, V. Lukyanov, R. Barchewitz. et al. J. Phys.: Condens. Matter, 11, 3355 (1999)
E. Filatova, A. Stepanov, C. Blessing, J. Friedrich, R. Barchewitz, J.-M. Andre, F.Le. Guern, S. Bac, P. Troussel. J. Phys.: Condens. Matter, 7, 2731 (1995)
Dien Li, G.M. Bancroft, M. Kasrai. Amer. Mineralogist, 79 622 (1994)
P.L. Hansen, R. Brydson, D.W. McComb. Microsc., Microanal., Microstruct., 3, 213 (1992)
M. Tallarida, D. Schmeisser, F. Zheng, F.J. Himpsel. Surf. Sci., 600, 3879 (2006)
P.P. Konorov, A.M. Yafyasov, V.B. Bogevolnov. Field-Effect in Semiconductor-electrolyte interface: Application to Investigations of Electronic Properties of the Semiconductor Surfaces (Princeton --- Oxford University Press USA, 2006)
Handbook series on semiconductor parameters, ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev and M. Shur (Word Scientific Publishing Co. Pte. Ltd. Singapore-N.J.--London--Hong Kong, 1966) v. 1, p. 218
В.В. Козловский, В.А. Козлов. ФТП, 33 (12), 1409 (1999)
Froudakis, P. Lithoxoos, J. Samios. Nano Lett., 9 (6(8)), 1581-3 (2006)
Yu. Goldberg, M.E. Levinstein, S.L. Rumyantsev. In: Properties of Advanced Semiconductor Materials GaN, AlN, BN, SiC, SiGe, ed by M.E. Levinstein, S.L. Rumyantsev and M.S. Shur (N.Y., Wiley and Sons, 2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель