Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Комбинационное рассеяние света в халькогенидных стеклообразных полупроводниках As-Se-S и As-Se-Te
1Институт физики им. Г.М. Абдуллаева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан 
Поступила в редакцию: 12 августа 2013 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2014 г.
Синтезированы халькогенидные стеклообразные полупроводники составов As-Se-S и As-Se-Te, и термическим напылением получены тонкие пленки. Методами рентгенофазового анализа и комбинационного рассеяния света установлена их аморфность, а также исследованы структурные особенности. Показано, что матрицы обоих материалов обладают сеточно-цепочечной структурой с ковалентной связью между атомами As, Se, S и Te. В матрице As-Se-S существуют структурные единицы типа пирамид AsSe3, AsS3, бипирамиды AsSe3/2 и молекулы alpha(beta)-As4S4, а в As-Se-Te - единицы AsSe3, AsSe3/2, As2Se3, As2Te3. Определены колебательные моды связей Se-Se, Te-Te, As-As, As-S, Se-As-Se, As-Se-As, Se-As-S, Se-As-Te, Se-Te, составляющих как отдельные молекулы, так и аморфные матрицы.
- A. Madan, M.P. Show. The Physics and Application of Amorphous Semiconductors (Academic Press, Inc., Boston--San Diego, 1988)
- V. Kovanda, Mir Vicek, H. Jain. J. Non-Cryst. Sol., 326--327, 88 (2003)
- J.S. Sanghera, I.D. Aggarwal, L.B. Shaw, C.M. Florea, P. Pureza, V.G. Nguyen, F. Kung. J. Optoelectron. Adv. Mater., 8, 2148 (2006)
- I. Aggarwal, J. Sanghera. J. Optoelectron. Adv. Mater., 4, 665 (2002)
- J. Viens, C. Meneghini, A. Villeneuve et al. J. Lightwave Technol., 17, 1184 (1999)
- Y. Ruan, W. Li, R. Jarvis, N. Madsen, A. Rode, B. Luther-Davies. Opt. Express, 12, 5140 (2004)
- H.Y. Hwang, G. Lenz, M.E. Lines, R.E. Slusher. US Patent, No 6.208.792 (2001)
- L.P. Kazakova, E.A. Lebedev, N.B. Zakharova, I.I. Yatlinko, A.I. Isayev, S.I. Mekhtiyeva. J. Non-Cryst. Sol., 167, 65 (1994)
- A.I. Isayev, S.I. Mekhtieva, N.Z. Jalilov, R.I. Alekperov. Sol. St. Commun. 149 (1--2), 45 (2009)
- А.И. Исаев, Л.П. Казакова, Э.А. Лебедев, С.И. Мехтиева, И.И. Ятлинко. А.С. N 1512015 (М, 1989)
- S.R. Lukic, D.M. Petrovic, S.J. Skuban, Lj. Radonjic, Z. Cvejic. J. Optoelectron. Adv. Mater., 5, 1223 (2003)
- М.Ф. Чурбанов, В.С. Ширяев, А.И. Сучков и др. Неорг. матер., 43, 506 (2007)
- G. Lucovsky, F.L. Galeener, R.C. Keezer, R.H. Geils, H.A. Six. Phys. Rev. B, 10, 5134 (1974)
- V.I. Mikla. J. Phys.: Condens. Matter, 9, 9209 (1997)
- M.S. Iovu, E.I. Kamitsos, C.P.E. Varsamis, P. Boolchand, M. Popescu. Chalcogenide Lett., 2, 21 (2005)
- R. Holomb, V. Mitsa, P. Johansson et al. Chalcogenide Lett., 2, 63 (2005)
- M. Frumar, Z. Polak, M. Vlcek, Z. Cernosek. J. Non-Cryst. Sol., 213--214, 215 (1997)
- A. Mendoza-Galvan, E. Garcia-Garcia, Y.V. Vorobiev, J. Gonzalez-Hernandez. Microelectron. Engin., 51--52, 677 (2000)
- M.H. Brodsky, R.J. Gambino, J.E. Smith, jr., Y. Yacoby. Phys. Status Solidi B, 52 (2), 609 (1972)
- T. Usuki, K. Saitoh, M. Endo, O. Uemura. J. Non-Cryst. Sol., 205--207, 184 (1996)
- W. Li, S. Seal, C. Rivero, C. Lopez, K. Richardson, A. Pope, A. Schulte, S. Myneni, H. Jain, K. Antoine, A.C. Miller. J. Appl. Phys., 98, 053 503 (2005)
- G. Lucovsky, R.M. Martin. J. Non-Cryst. Sol., 8--10, 185 (1972)
- О.В. Химинец, В.С. Герасименко и др. ЖПХ, 51 (7), 1522 (1978)
- Э.В. Школьников, В.С. Герасименко, З.У. Борисова. Физика и химия стекла, 3 (4), 338 (1977)
- V.S. Vassilev, Z.G. Ivanova, L. Aljihmani, E. Cernoskova, Z. Cernosek. Mater. Lett., 59, 85 (2005)
- Conji Zha, Rongping Wang et al. J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 18, 389 (2007)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
