С использованием результатов технологических экспериментов на базе двухкомпонентной кинетической модели (SiH₄->SiH₃+SiH) определена область характерных частот распада радикалов молекул гидридов кремния, адсорбируемых поверхностью роста слоя в диапазоне температур 450-700^oC, и оценена степень покрытия поверхности кремния радикалами SiH_j в условиях эпитаксиального роста. Определены характер температурных зависимостей степени заполнения поверхности отдельными фрагментами молекул и скорости их распада на поверхности кремния в различных режимах, соответствующих постоянству во всем температурном интервале отношения концентраций радикалов моносилана (SiH=gSiH₃), либо постоянству скоростей их распада (nu_SiH3=xinu_SiH). Показано, что наблюдаемый вид температурной зависимости скорости распада молекул на поверхности роста не описывается простыми кривыми активационного типа, что связано c особенностями взаимодействия молекулярного пучка гидрида с поверхностью Si в условиях низкого и высокого уровней заполнения поверхностных связей водородом. Рассмотрено влияние на вид температурных зависимостей характера адсорбции атомов водорода и различных условий их перехода с молекулы на поверхность роста.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.