Исследовано влияние условий получения эпитаксиальных слоев InP и InGaAs на концентрацию и подвижность носителей заряда. Из анализа температурной зависимости холловской подвижности определялись параметр, характеризующий степень микронеоднородности пленок N_sQ (Q - сечение рассеяния электронов этими неоднородностями, N_s - их концентрация), и степень компенсации K=N_A/N_D. Величина подвижности в эпитаксиальных слоях, полученных путем длительного отжига раствора-расплава в атмосфере водорода, ограничивается рассеянием на упомянутых неоднородностях кристалла, а добавление в раствор-расплав редкоземельных элементов (РЗЭ) снижает N_sQ даже в сильно компенсированных образцах (K~= 1) и приводит к увеличению подвижности. Установлено, что уменьшение концентрации носителей в эпитаксиальных слоях, наблюдающееся при легировании раствора-расплава РЗЭ, происходит за счет снижения фоновой концентрации доноров VI группы. Предполагается, что в жидкой фазе образуются тугоплавкие химические соединения РЗЭ с элементами VI группы, что препятствует их вхождению в твердую фазу. Показано, что совместное легирование раствора-расплава РЗЭ и акцепторными примесями позволяет увеличить концентрацию дырок в твердых растворах In_1-xGa_xAs_1-yP_y.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.