Исследовались закрепление уровня Ферми (УФ) и образование области приповерхностного изгиба энергетических зон при адсорбции на чистые поверхности скола (110) GaAs, InP атомов цезия, сурьмы и кислорода. Регистрировались поляризационные спектры отражения, в которых по мере нанесения покрытий появлялись характерные изменения, отражающие процесс закрепления. Анализ спектров показывает, что в n-GaAs закрепление осуществляется при покрытиях, существенно меньших монослоя. Величина возникающего при этом изгиба зон одинакова для всех исследовавшихся адсорбатов, что соответствует универсальной дефектной модели. Обнаружено, что у окисленной поверхности p-GaAs изгиб зон почти в 2.5 раза меньше, чем возникающий у той же поверхности при покрытии сурьмой или цезием. Высказано предположение, что за величину изгиба зон у окисленной поверхности p-GaAs ответственны состояния окисла. В материалах p-InP обнаруженный изгиб зон для всех адсорбатов в несколько раз больше, чем в n-InP; это показывает, что закрепляющие уровни в p-InP лежат в верхней части запрещенной зоны.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.