Предложен метод исследования дрейфовой подвижности электронов mu^e_D в аморфном гидрогенизированном кремнии a-Si : Н с помощью измерения нестационарной фотопроводимости в области ее линейного роста при импульсном возбуждении неравновесных носителей светом. С помощью данной методики исследовано влияние дегидрогенизации a-Si : Н и длительного его освещения в области собственного поглощения на величину mu^e_D. Измерения показали, что как в случае дегидрогенизации a-Si : Н, так и после длительного освещения происходит некоторое уменьшение величины mu^e_D. Полученные результаты объясняются увеличением плотности локализованных состояний в хвосте зоны проводимости при указанных воздействиях.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.