Определены энергетические уровни и термическая устойчивость радиационных дефектов, возникающих за границей n-p-переходов, полученных имплантацией ионов фосфора в кремний p-типа. Предполагалось, что наблюдаемые на глубинах ~870 нм дефекты являются комплексами вакансий с атомами кислорода. Образование таких центров возможно вследствие диффузии вакансий из зоны генерации дефектов (20/25 нм) в объем материала с последующим захватом их атомами кислорода. Проведена оценка диффузионной длины вакансии L~=0.01 мкм.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.