Анализируются вольтамперные характеристики (ВАХ) p-n-переходов из Al_xGa_1-xSb(As) (x=0.13/0.18) при смещениях, не превышающих контактную разность потенциалов. В этой области смещений ВАХ описывается эмпирической формулой I=C exp(-E_a/kT)V^m, где энергия активации E_a равна приблизительно 0.3 эВ, а m=3/4, что не согласуется с известными механизмами прохождения тока. Показано, что предположение о существовании пространственного заряда и инверсионного канала p-типа проводимости на поверхности n-области p-n-структуры позволяет теоретически описать полученные экспериментальные ВАХ и достичь хорошего количественного согласия со значениями E_a и m. Наблюдаемый для некоторых образцов излом обратной ветви ВАХ связывается с генерационно-туннельными переходами электронов через центр с глубоким уровнем в приповерхностной ОПЗ. Высказано предположение, что большие туннельные токи, наблюдаемые в p-n-структурах из Al_xGa_1-xSb(As), также могут быть обусловлены существованием инверсионного слоя на поверхности n-области структур.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.