Обсуждаются различные модели перехода металл-диэлектрик, наблюдаемого в легированных полупроводниковых кристаллах n-Cd_xHg_1-xTe под действием магнитного поля. Проведены измерения гальваномагнитных свойств n-Cd_xHg_1-xTe; [x=0.16/0.22; n=(1/13)·10¹⁴ см^-3] в магнитных полях H=< 70 кЭ при 1.4=< T=<25 K. Получена зависимость поля перехода от степени компенсации образца, однозначно свидетельствующая в пользу модели, связанной с локализацией электронов в ямах флуктуационного потенциала.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.