Рассмотрено поглощение ультразвука в слабо легированных компенсированных полупроводниках при низких температурах. Показано, что наряду с прыжковым поглощением заметный вклад могут давать электроны, локализованные в крупномасштабном потенциальном рельефе. Проанализированы зависимости указанного вклада от частоты и температуры в различных предельных случаях; показано, что они существенно отличаются от соответствующих зависимостей как для поглощения носителями на уровне протекания, так и для прыжкового поглощения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.