Исследованы пикосекундные дифракционные решетки в кристаллах кремния, подвергнутых ионному легированию и последующей рекристаллизации с помощью импульсного лазерного отжига. Использована методика зондирования распада динамических решеток, индуцированных интерферирующими лучами пикосекундного лазера на поверхности полупроводника. Проведен теоретический анализ дифракционной эффективности с учетом модуляции коэффициента преломления вещества под действием лазерного излучения и процессов рекомбинации ННЗ в приповерхностной области кристалла. Результаты расчета сравниваются с экспериментальными данными.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.