Циклотронная акустоэлектронная генерация в n-InSb в "бесстолкновительном" режиме взаимодействия
Выставление онлайн: 20 октября 1988 г.
Экспериментально установлено сильное влияние нагрева электронного газа и решетки полем дрейфа на характер спектра многопролетной акустоэлектронной генерации в n-InSb при гелиевых температурах. Обнаружены эффекты пробоя кристаллов в поле акустоэлектрических доменов, трансформации спектра к частоте максимального усиления в компенсированных образцах при нагреве решетки и электронов выше 100 K. В бесстолкновительном режиме взаимодействия ql > 1 (q - волновой вектор, l - длина свободного пробега) при азотной температуре генерация возникает на частотах, близких к частоте максимального усиления.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.