Исследованы фотоэлектрические свойства гетеропереходов InGaAsP/InP с различным несоответствием параметров решеток (НПР). Показано, что НПР, на порядок снижающие эффективность электролюминесценции, гораздо слабее сказываются на фотоэлектрических свойствах: фоточувствительность падает не более чем в 2-3 раза, а в некоторых случаях даже растет. Экспериментальные результаты объяснены влиянием двух процессов, обусловленных НПР: увеличением рекомбинационных потерь в фотоактивном слое и изменением зонного профиля гетероперехода. Построены зонные профили неидеальных гетеропереходов с помощью зависимостей фототока от приложенного смещения и показано, что, несмотря на малую скорость рекомбинации на гетерогранице, поверхностные состояния могут существенно влиять на эффективность разделения носителей, изменяя величину "обратного" барьера. Проведено математическое моделирование спектра фототока, позволившее оценить параметры эпитаксиальных слоев: коэффициент поглощения k, диффузионную длину L, скорость поверхностной рекомбинации S.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.