Исследовались зависимости энергии активации равновесной проводимости varepsilon_sigma, времен жизни электронов и дырок в a-Si : Н от уровня легирования. Параметры распределения rho(varepsilon) плотности локализованных D-состояний, образованных оборванными связями кремния, определены с учетом изменения при легировании плотности оборванных связей кремния. Показано, что с увеличением концентрации вводимой примеси растет амплитуда rho(varepsilon), а полуширина и энергетическое положение пиков плотности D-состояний остаются по существу теми же, что и в нелегированном a-Si : Н.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.