Исследовано прохождение интенсивного излучения через тонкий полупроводниковый слой с нелинейным межзонным поглощением в условиях динамического аффекта Бурштейна-Мосса. Показано, что в твердых растворах InGaAsP при комнатной температуре оже-разогрев может приводить к подавлению этого эффекта и образованию растущего участка на зависимости поглощения от интенсивности. Определены и исследованы на устойчивость стационарные состояния плотной электронно-дырочной плазмы. Найдены оптические передаточные характеристики, которые содержат гистерезисный или падающий участок, соответствующий безрезонаторной оптической бистабильности.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.