Рассмотрены спектральные и поляризационные характеристики рекомбинационной люминесценции горячих электронов в соединениях A^IIIB^V, главным образом в GaAs и InP. Дан краткий обзор результатов, полученных методами спектроскопии горячей фотолюминесценции в различных направлениях физики полупроводников, включая процессы релаксации (внутри- и междолинные переходы), структуру зон и примесных центров.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.