Получены теоретические формулы, устанавливающие для предельной оптической перезарядки связь между степенью заполнения верхнего уровня, отношениями сечений захвата и фотоионизации при комбинированном фотовозбуждении (фотогенерации носителей с верхнего локального уровня в обе зоны). Показано, что оптическая перезарядка может быть осуществлена в полупроводниках способом непосредственного фотовозбуждения электрона из валентной зоны на верхний уровень и обменом носителями между валентной зоной и двумя локализованными энергетическими состояниями многозарядного акцептора. Получены количественные соотношения для этого типа оптической перезарядки. Рассмотрены методологические возможности использования полученных формул для определения величин сечений захвата и фотоионизации.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.