Влияние микрорельефа поверхности на электрофизические характеристики контакта металл-полупроводник с барьером Шоттки. Фотоэмиссионные характеристики
Борковская О.Ю., Горбач Т.Я., Дмитрук Н.Л., Мищук О.Н.
Выставление онлайн: 19 ноября 1989 г.
Исследовано влияние микрорельефной анизотропно травленой поверхности на спектры фотоэмиссионного тока диодов Шоттки Au-GaAs. Обнаружено повышение фоточувствительности барьеров Шоттки и увеличение примерно вдвое температурного коэффициента высоты барьера.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.