Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Волноводные свойства гетероструктур на основе нитридов галлия, алюминия и индия

Бугров В.Е.^1,2, Зубрилов А.С.^1,2

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Cree Research EED Inc., Санкт-Петербург, Россия

Поступила в редакцию: 21 февраля 1996 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 1996 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовались волноводные свойства двойных гетероструктур на основе нитридов элементов III группы A^III N. Установлено, что в твердом растворе широкозонной области достаточным (для ограничения оптической моды внутри активной области) является содержание AlN не более 8/ 10%. Учтено влияние поглощения света в широкозонных слоях на плотность порогового тока гетероструктурных лазеров. Для гетероструктур на основе A^III N этот вид поглощения света будет, по-видимому, определяющим. Для лазеров на основе таких структур плотность порогового тока ожидается на уровне порядка 10 кА/см². Вследствие сильного поглощения света в волноводном слое для лазеров на одиночные квантовых ямах не следует ожидать снижения плотности порогового тока по сравнению с обычными лазерами на двойных гетероструктурах. Снижение плотности порогового тока до нескольких кА/см² возможно для лазеров с большим числом квантовых ям.

S. Strite, H. Morkoc. J. Vac. Sci. Technol. B, 10, 1237 (1992)
H. Morkoc, S. Strite, G.B. Gao, M.E. Lin, B. Sverdlov, M. Burns. J. Appl. Phys. 76, 1363 (1994)
S. Nakamura. InterNet communication report, January 15, 1996
Х. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах (М., Мир, 1981). [Пер. с англ.: H.C. Casey, Jr., M.B. Panish. Heterostructure Lasers (N. Y., Academic Press, 1978)
O. Ambacher, W. Rieger, M. Stutzmann. Abstracts of Topical Workshop on III--V Nitrides, TWN'95 F-5 (Nagoya, Japan, 1995)
H.Amano, N. Watanabe, N. Koide, I. Akasaki. Japan. J. Appl. Phys., 32, L1000 (1993)
K. Osamura, S. Naka, Y. Murakami. J. Appl. Phys., 46, 3432 (1975)
W. Fang, S.L. Chuang. Appl. Phys. Lett., 67, 751 (1995)
S. Kamiyama, M. Suzuki, T. Uenoyama, Y. Ban. Abstracts of Topical Workshop on III--V Nitrides, TWN'95 SP-5 (Nagoya, Japan, 1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель