Вышедшие номера
Волноводные свойства гетероструктур на основе нитридов галлия, алюминия и индия
Бугров В.Е.1,2, Зубрилов А.С.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Cree Research EED Inc., Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 февраля 1996 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1996 г.

Исследовались волноводные свойства двойных гетероструктур на основе нитридов элементов III группы A III N. Установлено, что в твердом растворе широкозонной области достаточным (для ограничения оптической моды внутри активной области) является содержание AlN не более 8/ 10%. Учтено влияние поглощения света в широкозонных слоях на плотность порогового тока гетероструктурных лазеров. Для гетероструктур на основе A III N этот вид поглощения света будет, по-видимому, определяющим. Для лазеров на основе таких структур плотность порогового тока ожидается на уровне порядка 10 кА/см2. Вследствие сильного поглощения света в волноводном слое для лазеров на одиночные квантовых ямах не следует ожидать снижения плотности порогового тока по сравнению с обычными лазерами на двойных гетероструктурах. Снижение плотности порогового тока до нескольких кА/см2 возможно для лазеров с большим числом квантовых ям.