Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фоточувствительность гетероструктур InP/CdS в линейно поляризованном свете

Ботнарюк В.М.¹, Горчак Л.В.¹, Плешка В.Н.¹, Рудь В.Ю.², Рудь Ю.В.³

¹Государственный университет Молдовы, Кишинев, Молдавия
²Санкт-Петербургский государственный технический университет Санкт-Петербург, Россия
³Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 15 апреля 1996 г.

Выставление онлайн: 20 января 1997 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты измерений фоточувствительности структур (p⁺-p^-)-InP/n⁺-CdS, полученных выращиванием слоев фосфида индия и сульфида кадмия на подложках p⁺-InP с ориентацией (100). Токовая фоточувствительность структур составляет S_i~= 0.13 А/Вт при T=300 K в спектральном диапазоне 1.3/2.4 эВ. Обнаружена поляризационная фоточувствительность при наклонном падении линейно поляризованного излучения на поверхность CdS. Величина наведенного фотоплеохроизма контролируется углом падения (theta) как ~theta² и достигает максимальной величины ~ 50% при theta~= 75/80^o. Максимальная азимутальная фоточувствительность достигает ~ 0.13 А/Вт·град. Гетероструктуры InP/CdS могут найти применение в качестве поляриметрических фотодетекторов.

S. Wagner, J.L. Shay, K.J. Bachman, E. Buchler. Appl. Phys. Lett., 20, 220 (1976)
S. Jasugava, J. Sakai. Sol. St. Electron., 20, 133 (1977)
V.M. Botnariuc, L.V. Gorchak, G.N. Grigorieva, M.B. Kagan, T.A. Kozyreva, T.L. Lybasherskaya, E.V. Russu, A.V. Simoshkevich. Sol. Energy Mater., 20, 359 (1990)
S.G. Konnikov, V.Yu. Rud', Yu.V. Rud', D.M. Melebaev, A. Berveliev, M. Serginov, S. Tilevov. Japan. J. Appl. Phys., 32, 515 (1993)
Ю.В. Жиляев, Н. Назаров, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Л.М. Федоров. ФТП, 27, 1610 (1993)
D. Melebaev, V.Yu. Rud', Yu.V. Rud'. Book Abstr. ICTMC-10 (Stuttgart, 1995)
Ю.В. Рудь. Изв. вузов. Физика, 29, вып. 8, 68 (1986)
G.A. Medvedkin, Yu.V. Rud'. Phys. St. Sol. (a), 67, 333 (1981)
Физико-химические свойства полупроводниковых материалов (М., Наука, 1978)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель