Вышедшие номера
Фоточувствительность гетероструктур InP/CdS в линейно поляризованном свете
Ботнарюк В.М.1, Горчак Л.В.1, Плешка В.Н.1, Рудь В.Ю.2, Рудь Ю.В.3
1Государственный университет Молдовы, Кишинев, Молдавия
2Санкт-Петербургский государственный технический университет Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 15 апреля 1996 г.
Выставление онлайн: 20 января 1997 г.

Представлены результаты измерений фоточувствительности структур (p+-p-)-InP/n+-CdS, полученных выращиванием слоев фосфида индия и сульфида кадмия на подложках p+-InP с ориентацией (100). Токовая фоточувствительность структур составляет Si~= 0.13 А/Вт при T=300 K в спектральном диапазоне 1.3/2.4 эВ. Обнаружена поляризационная фоточувствительность при наклонном падении линейно поляризованного излучения на поверхность CdS. Величина наведенного фотоплеохроизма контролируется углом падения (theta) как ~theta2 и достигает максимальной величины ~ 50% при theta~= 75/80o. Максимальная азимутальная фоточувствительность достигает ~ 0.13 А/Вт·град. Гетероструктуры InP/CdS могут найти применение в качестве поляриметрических фотодетекторов.