Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние облучения быстрыми нейтронами на фотолюминесценцию кристаллов n-GaAs(Te)

Глинчук К.Д.¹, Прохорович А.В.¹

¹Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина

Поступила в редакцию: 3 апреля 1996 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 1997 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано влияние нейтронного облучения (Phi=10¹⁴-10¹⁵ см^-2) и последующих отжигов (T=100-750^oC) на фотолюминесценцию сильно легированных теллуром кристаллов n-GaAs (n₀~=2·10¹⁸ см^-3). Показано, что указанное радиационно-термическое воздействие при возрастании температуры отжига приводит сначала (при T~= 300^oC) к появлению интенсивной полосы люминесценции с максимумом излучения вблизи 1.35 эВ, а затем (при T>550^oC) к снижению ее интенсивности. Отмеченное связано с радиационно-стимулированной генерацией пар V_GaTe_AsV_As при умеренных температурах прогрева и последующей их диссоциацией при повышенных температурах прогрева.

Е.В. Винник, К.Д. Глинчук, В.И. Гурошев, А.В. Прохорович. ФТП, 25, 82 (1991)
Е.В. Винник, К.Д. Глинчук, В.И. Гурошев, А.В. Прохорович. ФТП, 27, 1030 (1993)
Л.С. Смирнов. Вопросы радиационной технологии полупроводников (Новосибирск, 1980)
К.Д. Глинчук, К. Лукат, В.Е. Родионов. ФТП, 15, 1337 (1981)
K.D. Glinchuk, A.V. Prokorovich, N.S. Zayats. Phys. St. Sol. (a), 82, 503 (1984)
К.Д. Глинчук, В.Ф. Коваленко, А.В. Прохорович. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., 22, 46, (1992)
R. Coates, F.W. Mitchell. Adv. Phys., 24, 593 (1975)
G. Dlubek, R. Krause. Phys. St. Sol. (a), 102, 443 (1987)
G. Dlubek, A. Dlubek, R. Krause, O. Brumer. Phys. St. Sol. (a), 107, 11 (1988)
К.Д. Глинчук, А.В. Прохорович. Кристаллография, 41, 324 (1996)
Е.В. Винник, К.Д. Глинчук, В.И. Гурошев, А.В. Прохорович. ФТП, 24, 1363 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель