Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Образование центров генерации носителей заряда в чистом Si при взаимодействии с быстрыми ионами
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 2 сентября 1996 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1997 г.
Методом DLTS изучались радиационные дефекты в p+-n-n+-структурах на основе чистого n-Si, облученного alpha-частицами и осколками деления от источников естественного распада. Исследовалась природа компоненты обратного тока структуры, обусловленной генерацией носителей через глубокие уровни. Установлена идентичность систем глубоких центров для легких и тяжелых ионов. При низкотемпературном отжиге наблюдалась корреляция генерационной составляющей тока с концентрацией центров Ev+0.33 эВ, связанных с межузельным углеродом. В случае тяжелых ионов DLTS-спектры не имели ожидаемых особенностей, связанных с проявлением скоплений локальных дефектов, в положении и форме пиков. Оценка темпа генерации в модели локальных p-n-переходов показала, что скопления дефектов вызывают существенно меньший ток, чем эквивалентное число дефектов с глубокими уровнями, размещенных в n-матрице структуры.
- Е.М. Вербицкая, В.К. Еремин, А.М. Иванов, Н.Б. Строкан. ФТП, 27, 205 (1993)
- Е.М. Вербицкая, В.К. Еремин, А.М. Иванов, Н.Б. Строкан. ФТП, 27, 1113 (1993)
- Ion Implantation Science and Technology, ed. by J.F. Ziegler (Acad. Press., 1984)
- А.М. Иванов, И.Н. Ильяшенко, Н.Б. Строкан, Б. Шмидт. ФТП, 29, 543 (1995)
- P.V. Kuchinskii, V.M. Lomako. Sol. St. Electron., 29, 1041 (1986)
- И.В. Антонова, А.В. Васильев, В.И. Панов, С.С. Шаймеев. ФТП, 23, 1076 (1989)
- Л.С. Берман, В.Б. Воронков, В.А. Козлов, А.Д. Ременюк. ФТП, 26, 1507 (1992)
- L.S. Kimerling, H.M. De Angelis, J.W. Diebold. Sol. St. Commun., 16, 171 (1975)
- S.D. Brotherton, P. Bredley. J. Appl. Phys., 53, 5720 (1982)
- О.В. Александров, Б.Н. Шевченко, И.П. Матханова, А.В. Каменец. ФТП, 26, 868 (1992)
- E. Borchi, M. Bruzzi, M.S. Mazzoni. Nucl. Instrum. Meth. A, 310, 273 (1991)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов [Пер. с англ. под ред. Р.А. Суриса] (М., Мир, 1984) т. 1
- Л.С. Берман, В.А. Жепко, В.Н. Ломасов, В.Н. Ткаченко. ФТП, 23, 2129 (1989)
- А.И. Баранов, А.В. Васильев, А.С. Гусев, С.А. Смагулова, Н.А. Ухин. ФТП. 15, 2296 (1981)
- И.В. Антонова, С.С. Шаймеев. ФТП, 25, 847 (1991)
- И.А. Баранов, П.В. Кучинский, В.М. Ломако, А.П. Петрунин, С.О. Цепелевич, Л.Н. Шахлевич. ФТП, 24, 731 (1990)
- B.R. Gossick. J. Appl. Phys., 30, 1214 (1959)
- Р.Ф. Коноплева, В.Н. Остроумов. Взаимодействие заряженных частиц высоких энергий с германием и кремнием (М., Атомиздат, 1975)
- E. Fretwurst, N. Claussen, N. Croitoru, G. Lindstrom, B. Papendick, U. Pein, H. Schatz, T. Schulz, R. Wunstorf. Nucl. Instrum. Meth. A, 326, 357 (1993)
- M. Bruzzi, A. Baldini, E. Borchi, I. Lukianov. Nucl. Instrum. Meth. A, 326, 344 (1993)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
