Рекомбинация в области пространственного заряда и ее влияние на коэффициент передачи биполярного транзистора
Булярский С.В.1, Грушко Н.С.1, Сомов А.И.1, Лакалин А.В.1
1Филиал Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова в г. Ульяновске, Ульяновск, Россия
Поступила в редакцию: 3 декабря 1995 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1997 г.
Учтено влияние рекомбинации в области пространственного заряда эмиттерного перехода на коэффициент передачи биполярного транзистора. Результаты измерений коэффициента передачи транзистора при низком уровне инжекции на некоторых промышленных образцах практически совпадают с расчетными значениями, сделанными по полученным выражениям с учетом глубоких уровней и рекомбинации через них.
- C.T. Sah, R.N. Noyce, W. Shocley. Proc. IRE, 45, 1228 (1957)
- С.В. Булярский, Н.С. Грушко. Физические принципы функциональной диагностики p-n-переходов с дефектами (Кишинев, Штиинца, 1992) с. 236
- С.В. Булярский, Н.С. Грушко. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах (М., МГУ, 1995) с. 399
- Н.С. Спиридонов. Основы теории транзисторов (Киев, Техника, 1969) с. 225
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1, с. 453
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук