В интервале температур T=80/500 K исследованы спектрально-кинетические характеристики рентгенолюминесценции кристаллов ZnSe, легированных Zn, Se и Te в процессе роста и отожженных (или неотожженных) в парах Zn. Для кристаллов ZnSe, выращенных из шихты стехиометрического состава или с примесью халькогенов, свойственны минимальный уровень послесвечения, а также резкое возрастание интенсивности РЛ и смещение ее максимума из инфракрасной области в красную после их отжига в цинке. Кристаллы ZnSe, выращенные из шихты, содержащей избыток Zn, имеют относительно низкий выход РЛ при значительном уровне послесвечения. Предполагается, что при выращивании кристаллов, активированных Te, в них генерируются термодинамически устойчивые комплексы V_ZnTe_Se, являющиеся центрами излучательной рекомбинации. Введение избытка Zn в исходную шихту приводит к уменьшению концентрации V_Zn и, следовательно, центров излучательной рекомбинации. Показано, что при концентрациях свободных электронов n<10¹⁸ см^-3 зависимость времени послесвечения tau от n может быть описана в рамках модели излучательной рекомбинации через один примесный уровень, а при n>10¹⁸ см^-3 наблюдается уменьшение tau с ростом n, которое не может быть объяснено в рамках этой простой модели. Предполагается, что в кристаллах с n>10¹⁸ см^-3, полученных в результате длительного отжига в парах Zn, формируются центры излучательной рекомбинации нового типа.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.