Экстракция носителей заряда в полупроводниках с монополярной компонентой фотопроводимости
Власенко А.И.1, Власенко З.К.1, Любченко А.В.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 13 августа 1996 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1997 г.
Теоретически и экспериментально исследован эффект экстракции неосновных носителей заряда в полупроводниках с монополярной компонентной фотопроводимости при различных температурах на примере CdxHg1-xTe (x~ 0.2).
- R.L. Williams. Infr. Phys., 8, 337 (1968)
- M.R. Johnson. J. Appl. Phys., 43, 3090 (1972)
- S.P. Emmons, K.L. Ashley. Appl. Phys. Lett., 20, 162 (1972)
- В.И. Иванов-Омский, В.К. Огородников, Т.Ц. Тотиева. ФТП, 14, 699 (1980)
- А.И. Власенко, А.В. Любченко. ФТП, 28, 1219 (1994)
- А.И. Власенко, Ю.Н. Гаврилюк, А.В. Любченко, Е.А. Сальков. ФТП, 13, 2180 (1979)
- Л.А. Карачевцева, А.В. Любченко, В.Д. Соболев. УФЖ, 38, 1071 (1993)
- D.L. Polla, C.E. Jones. J. Appl. Phys., 52, 5119 (1981)
- В.Е. Лашкарев, А.В. Любченко, М.К. Шейнкман. Неравновесные процессы в фотопроводниках (Киев, 1981) с. 263
- Дж. Блекмор. Статистика электронов в полупроводниках (М., 1964) с. 392
- K. Lischka. Phys. St. Sol., 133, 17 (1986)
- H.R. Vydynath. Electr. Soc. Sol. St. Sci. Technol., 128, 2609 (1981)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук