Кинетика ионной деполяризации Si-МОП-структур в режиме линейной развертки по напряжению
Гольдман Е.И.1, Ждан А.Г.1, Чучева Г.В.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 17 февраля 1997 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1997 г.
Развивается новый подход к описанию изотермической ионной деполяризации Si-МОП-структур в режиме линейного изменения потенциала полевого электрода Vg, основанный на представлениях о существенно неравновесном характере транспорта ионов, изначально локализованных у границы раздела (ГР) SiO2/Si на мелких объемных ловушках. В рамках термоэмиссионного механизма переноса ионов через барьер, сформированный поляризующим напряжением (Vg>0), рассчитаны динамические вольт-амперные характеристики деполяризации. Результаты расчетов находятся в хорошем согласии с экспериментальными данными - узкие с полушириной ~ kT пики тока, проявляющиеся вблизи Vg=0, и их зависимости от температуры, скорости развертки и начальной плотности ионов у ГР SiO2/Si. На этом основании в области температур 423-453 K определены эффективная подвижность ионов mutheta=(2.5-11)·10-8 см2/В·с (theta - коэффициент прилипания), энергия активации mu (Emu=~0.6 эВ) и глубина объемных ловушек в SiO2 (Et=~0.2 эВ). Согласно литературным данным, значения Emu=~0.6 эВ характерны для подвижных ионов Na+.
- J.F. Verwey, E.A. Amerasekera, J. Bisschop. Rep. Prog. Phys., 53, 1297 (1990)
- G.S. Horner, M. Kleefstra, T.G. Miller, M.A. Peters. Sol. St. Technol., 79, (June, 1995)
- M. Kuhn, D.J. Silversmith. J. Electrochem. Soc.: Sol. St. Science, 118, 966 (1971)
- A.G. Tangena, J. Middelhock, N.F. de Rooij. J. Appl. Phys., 49, 2876 (1978)
- A.G. Tangena, N.F. de Rooij, J. Middelhock. J. Appl. Phys., 49, 5576 (1978)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. (М., Мир, 1984)
- М. Щур. Современные приборы на основе арсенида галлия (М., Мир, 1991)
- М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
- E.I. Goldman, A.G. Zhdan. Semicond. Sci. Technol., 5, 675 (1990)
- Е.И. Гольдман. ФТП, 31, 45 (1997)
- R.J. Krieger, T.F. Devenyi. Thin Solid Films, 36, 435 (1976)
- К. Као, В. Хуанг. Перенос электронов в твердых телах (М., Мир, 1984)
- E.W. Montroll, G. Weiss, J. Math. Phys., 6, 167 (1965)
- И.П. Звягин. Кинетические явления в неупорядоченных полупроводниках (М., Изд-во москов. ун-та, 1984).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
