Вышедшие номера
Кинетика ионной деполяризации Si-МОП-структур в режиме линейной развертки по напряжению
Гольдман Е.И.1, Ждан А.Г.1, Чучева Г.В.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 17 февраля 1997 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1997 г.

Развивается новый подход к описанию изотермической ионной деполяризации Si-МОП-структур в режиме линейного изменения потенциала полевого электрода Vg, основанный на представлениях о существенно неравновесном характере транспорта ионов, изначально локализованных у границы раздела (ГР) SiO2/Si на мелких объемных ловушках. В рамках термоэмиссионного механизма переноса ионов через барьер, сформированный поляризующим напряжением (Vg>0), рассчитаны динамические вольт-амперные характеристики деполяризации. Результаты расчетов находятся в хорошем согласии с экспериментальными данными - узкие с полушириной ~ kT пики тока, проявляющиеся вблизи Vg=0, и их зависимости от температуры, скорости развертки и начальной плотности ионов у ГР SiO2/Si. На этом основании в области температур 423-453 K определены эффективная подвижность ионов mutheta=(2.5-11)·10-8 см2/В·с (theta - коэффициент прилипания), энергия активации mu (Emu=~0.6 эВ) и глубина объемных ловушек в SiO2 (Et=~0.2 эВ). Согласно литературным данным, значения Emu=~0.6 эВ характерны для подвижных ионов Na+.