Рекомбинация носителей заряда в бездислокационном кремнии, содержащем ростовые микродефекты различных типов
Казакевич Л.А.1, Лугаков П.Ф.2
1Институт прикладных физических проблем им. А.Н. Севченко Белорусского государственного университета, Минск, Республика Беларусь
2Белорусский государственный аграрный технический университет, Минск, Белоруссия
Поступила в редакцию: 2 июня 1997 г.
Выставление онлайн: 20 января 1998 г.
Анализ температурных и инжекционных зависимостей времени жизни носителей заряда в бездислокационном n-кремнии позволил сделать заключение о рекомбинационной активности ростовых микродефектов различных типов. Определены параметры основных рекомбинационных центров, связанных с микродефектами A- и B-типа.
- V.V. Voronkov. J. Cryst. Growth. 59, 625 (1982)
- К. Рейви. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии (М., 1984)
- А.А. Ситникова, Л.М. Сорокин, И.Е. Таланин, К.Л. Малышев, Э.Г. Шейхет, Э.С. Фалькевич. ФТТ, 28, 1829 (1986)
- H. Foll, B.O. Kolbesen. Appl. Phys., 8, 319 (1975)
- В.Г. Мокеров, С.Н. Никифорова-Денисова, Е.Н. Овчаренко, В.П. Панасюк, В.И. Смирнов, Ю.А. Тимошенко, И.П. Чернов. Микроэлектроника. 15, 36 (1986)
- А.Ф. Муратов. Ядерно-физические методы контроля полупроводниковых материалов и металлов (Ташкент, 1984) с. 115
- Н.В. Румак. Система кремний--двуокись кремния в МОП структурах (Минск, 1986)
- R.N. Hall. Phys. Rev., 87, 387 (1952)
- W. Shockley, W. Read. Phys. Rev., 87, 835 (1952)
- Г. Матаре. Электроника дефектов в полупроводниках (М., 1974)
- S.R. Dhariwal, D.R. Mehrotra. Sol. St. Commun., 67, 1007 (1988)
- C. Junichi. In: Defects and Prop. Semicond.: Def. Eng. Symp. Qual. Semicond. (Tokyo, 1987) p. 143
- I.I. Kolkovskii, P.F. Lugakov, V.V. Shusha. Phys. St. Sol. (a), 127, 103 (1991)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
