Предложена сверхрешетка нового типа, которая формируется в монокристаллическом широкозонном невырожденном полупроводнике последовательностью пар близко расположенных донорных и акцепторных delta-легированных слоев. Показано, что благодаря сверхсильным электрическим полям, образующимся между этими delta-легированными слоями, коэффициент электропоглощения длинноволнового излучения определяется туннельными оптическими переходами электронов из зоны тяжелых дырок (в отличие от случая не слишком сильных полей, когда электропоглощение определяется легкими дырками); при этом его величина близка к коэффициенту межзонного поглощения света и слабо зависит от энергии кванта вплоть до дальнего инфракрасного диапазона. Найдено, что в предложенной сверхрешетке на основе InSb коэффициент поглощения в областях сверхсильного поля может превышать 10³ см^-1 вплоть до длин волн излучения, примерно равных 50/ 100 мкм. Отмечается, что, благодаря пространственному разделению фотогенерируемых электронов и дырок, время их жизни и фоточувствительность такой сверхрешетки в длинноволновой области могут иметь гигантские значения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.