Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Гамма-индуцированные метастабильные состояния легированного аморфного гидрированного кремния

Аблова М.С.¹, Куликов Г.С.¹, Першеев С.К.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 6 июня 1997 г.

Выставление онлайн: 20 января 1998 г.

PDF версия

Исследована температурная зависимость электропроводности легированных B и P пленок a-Si :H до и после gamma-облучения от источника ⁶⁰Co. Доза облучения составляла 10¹⁷-10¹⁸ фот/см². Обнаружено существенное различие в поведении пленок n- и p-типа. Электропроводность пленок p-типа слабо (в 2-3 раза) увеличивается, а электропроводность пленок n-типа резко (на 2-3 порядка) уменьшается. Наблюдаемое различие объясняется разным характером перераспределения зарядов на оборванных кремниевых связях D⁺ и D^- под влиянием gamma-облучения. Сопоставление полученных результатов с литературными данными позволяет сделать заключение об индуцировании gamma-квантами метастабильных состояний a-Si : H, которые обусловлены движением связанного водорода.

O. Imagawa, K. Yasuda, A. Yoshida. J. Appl. Phys., 60, 4719 (1989)
И.А. Курова, В.Н. Мелешко, Д.А. Мачалова, Н.Н. Ормонт. В сб.: Тезисы Всесоюзной конференции по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках (Ташкент, Фан, 1989)
R.A. Street. J. Non.-Cryst. Sol., 77/78, Part I, 1 (1985)
R.A. Street, J. Zesch, M.J. Thompson. Appl. Phys. Lett., 43, 672 (1983)
М.С. Аблова, У.Ж. Абдуманапов, К.П. Абдурахманов, Г.С. Куликов, Д.П. Уткин-Эдин, К.Х. Ходжаев. ФТП, 22, 20 (1988)
S.C. Agarwal. Bull. Mater. Sci., 18, 669 (1995)
R.A.Street, J. Kalalios, C.C. Tsai, T.M. Hayes. Phys. Rev. B, 35, 1316 (1987)
А.А. Андреев, М.С. Аблова, Т.А. Сидорова, Е.А. Казакова, А.Г. Пилатов, Т. Тургунов. Неорг. матер., 25, 900 (1989)
S.B. Aldabergenova, S.B. Feoktistov, V.C. Karpov, K.V. Koughia, A.V. Pevtsov, V.N. Solovyov. In: Transport, correlation and structural defects, ed. by H. Fritzsche (N. Y., 1990)
Аморфный кремний и родственные материалы, под ред. Х. Фрицше (М, Мир, 1991)
О.А. Голикова, И.А. Драбкин, В.Н. Зайцев, М.М. Казанин, Д.Н. Мирлин, И.В. Нельсон, Э.Н. Ткаленко, Т. Хамидов. В сб.: Бор, получение, структура и свойства (Тбилиси, Мецниереба, 1974)
П.В. Самсонов, Т.И. Серебрякова, В.А. Неронов. В сб.: Бориды (М, Атомиздат, 1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель